CMP后清洗機-單晶圓/掩膜版兆聲清洗：兆聲和清洗技術的發(fā)展，對MEMS和半導體等領域的晶圓和掩模版清洗提供了高超的水平，可以幫助用戶獲得干凈的晶圓片和掩模版。

NANO-MASTER提供兆聲清洗系統(tǒng)，使用*的無損兆聲清洗?？梢赃m用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到優(yōu)化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的z大化支持z理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。

SWC系統(tǒng)提供了可控的化學試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進一步加強。SWC和LSC具備對點試劑滴膠系統(tǒng)，可以*節(jié)省化學試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學試劑混合能力，提供了可控的化學試劑在整個基片上的分布。

通過聯(lián)合使用化學試劑滴膠和NANO-MASTER的兆聲清洗技術，系統(tǒng)去除顆粒的能力得到進一步優(yōu)化。顆粒從表面被釋放的能力也因此得到提升，從而被釋放的顆粒在幅流的DI水作用下被掃除出去，而把回附的數(shù)量降到了z低水平。從基片表面被去除。如果沒有使用幅流DI水的優(yōu)勢，*進的靜態(tài)可循環(huán)兆聲清洗槽會有更大數(shù)量的顆?；馗剑⑶乙虼诵枰嗟娜コ@些顆粒。

此外，NANO-MASTER的清洗機都還提供了一系列的選配功能。PVA軟毛刷提供了機械的方式去除無圖案基片上的污點和殘膠。DI水臭氧化的選配項提供了有機物的去除，而無須腐蝕性的化學試劑。我們的氫化DI水系統(tǒng)跟兆聲能量結(jié)合可以達到納米級的顆粒去除。根據(jù)不同的應用，某些選配項將會進一步提高設備去除不想要的顆粒和殘留物的能力。

兆聲清洗系統(tǒng)能夠就地實現(xiàn)熱氮或異丙醇甩干?！案蛇M干出" 一步工藝可以在我們的系統(tǒng)中以z低的投資和購置成本來實現(xiàn)。NANO-MASTER清洗機的工藝處理時間可以在3-5分鐘內(nèi)完成，具體是3分鐘還是5分鐘取決于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情況。

NANO-MASTER的技術也適用于清洗背部以及帶保護膜掩模版前面的對準標記，降低這些掩模版的不必要去除和重做保護膜的幾率。它也可以用于去除薄膜膠黏劑的黏附性并準備表面以便再次覆膜。此外，帶薄膜掩模版的全部正面的兆聲清洗以及旋轉(zhuǎn)甩干可以做到無損并且對薄膜無滲漏。

CMP后清洗機-單晶圓/掩膜版兆聲清洗應用：

• 濕法刻蝕

• 帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片

• Ge, GaAs以及InP晶圓片清洗

• CMP處理后的晶圓片清洗

• 晶圓框架上的切粒芯片清洗

• 等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗

• 帶保護膜的分劃版清洗

• 掩模版空白部位或接觸部位清洗

• X射線及極紫外掩模版清洗

• 光學鏡頭清洗

• ITO涂覆的顯示面板清洗

• 兆聲輔助的剝離工藝

  
  

特點：

• 支持12"直徑的圓片或7"x7"方片

• 獨立系統(tǒng)

• 無損兆聲,試劑，毛刷清洗及旋轉(zhuǎn)甩干

• 微處理機自動控制

• 化學試劑滴膠單元

• 溶劑與酸分離排廢

• 熱氮

• 30"D x 26"W 的占地面積

選配項：

• 多系統(tǒng)集成

• 掩模板或晶圓片夾具

• 臭氧清洗

• PVA軟毛刷清洗

• 高壓DI清洗

• 氮氣離子發(fā)生器

• 機械手自動上下載片